专利摘要:
本發明提供觸控螢幕面板。該觸控螢幕面板可包含:一第一混合電極,其包含在一第一方向上配置於一基板上之若干第一電極胞及在該第一方向上使該等第一電極胞彼此連接之若干第一連接電極;及一第二混合電極,其與在該基板上之該第一混合電極間隔開。該第二混合電極可包含配置在與該第一方向交叉之一第二方向上之若干第二電極胞及在該第二方向上使該等第二電極胞彼此連接之若干第二連接電極。該等第二電極胞係佈置在該等第一連接電極之間。該第一混合電極可包含依序堆疊之一第一下透明層及一第一金屬層,且該第二混合電極可包含依序堆疊之一第二下透明層及一第二金屬層。
公开号:TW201312210A
申请号:TW101124987
申请日:2012-07-11
公开日:2013-03-16
发明作者:Woo-Seok Cheong;Jae-Heon Shin
申请人:Korea Electronics Telecomm;
IPC主号:G06F3-00
专利说明:
觸控螢幕面板
本發明概念係關於觸控螢幕面板,且更特定言之係關於具有混合電極之觸控螢幕面板。
此美國非臨時專利申請案根據35 U.S.C.§ 119規定主張於2011年7月11日及2012年6月7日申請之韓國專利申請案第10-2011-0068601號及第10-2012-0060929號之優先權,該申請案之全文以引用之方式併入本文中。
最近,諸如電腦及攜帶型通訊終端機之電子裝置已得到普及,使得觸控螢幕已被廣泛地使用為用於輸入資料之單元。觸控螢幕可分類為電阻式觸控螢幕、電容式觸控螢幕、表面聲波(SAW)觸控螢幕及紅外光束觸控螢幕。
若使用手指或筆觸碰電阻式觸控螢幕,則下基板及上基板之透明電極彼此接觸以產生一電信號。使用產生之電信號定位觸碰位置。電阻式觸控螢幕可具有諸如低成本、高光透射率、多點觸控、高回應速度及小尺寸之優點。因此,電阻式觸控螢幕可主要應用於個人數位助理(PDA)、攜帶型多媒體播放器(PMP)、導航系統及頭戴式耳機。根據電容式觸控螢幕,若一導體(例如,一手指)觸碰包含一透明電極之一基板,則藉由透過手指產生之靜電在一絕緣層處出現一特定電容。透過出現電容之一部分傳輸一信號且接著計算信號之大小以定位一觸碰位置。若一聲波遇見一障礙,則聲波之振幅減小。SAW觸控螢幕使用感測聲波之振幅減小之一技術。SAW觸控螢幕具有諸如高光透射率、高精確度、高清晰度之優點,使得SAW觸控螢幕可用於安裝在一外部位置處之一自動櫃員終端機。然而,SAW觸控之一感測器可容易受污染且SAW觸控可因液體而弱化。IR觸控螢幕使用紅外線之性質,諸如直度及由一障礙物引起之中斷。可藉由無氧化銦錫(ITO)膜之一玻璃片或一玻璃基板實現IR觸控螢幕。IR觸控螢幕可具有最佳之透射率。
各種觸控螢幕之電容式觸控螢幕可執行對應於敏感性觸控之基礎之一多點觸控功能且可用於一高傳輸率感測器中。因此,電容式觸控螢幕可應用於具有一大面積及一薄厚度且能夠執行敏感性觸控功能之一顯示器。
本發明概念之實施例可提供能夠簡單地製造以減小製造成本之觸控螢幕面板。
根據本發明概念之實施例,一觸控螢幕面板可包含:一基板;一第一混合電極,其包含在一第一方向上配置在基板上之若干第一電極胞及在第一方向上使該等第一電極胞彼此連接之若干第一連接電極;及一第二混合電極,其與在基板上之第一混合電極間隔開,該第二混合電極包含配置在與第一方向交叉之一第二方向上之若干第二電極胞及在第二方向上使該等第二電極胞彼此連接之若干第二連接電極,且該等第二電極胞係佈置在該等第一連接電極之間。第一混合電極可包含依序堆疊之一第一下透明層及一第一金屬層;且第二混合電極可包含依序堆疊之一第二下透明層及一第二金屬層。
在一些實施例中,該等第二連接電極可延伸在該等第一連接電極上。
在其他實施例中,第一金屬層可與第二下透明層直接接觸。
在其他實施例中,第一下透明層及第二下透明層之各者可具有在約1.9至約2.65之一範圍內之一折射率。
在其他實施例中,第一金屬層及第二金屬層可包含Ag或Ag合金。
在其他實施例中,觸控螢幕面板可進一步包含:一第一透明金屬氧化物層,其在第一金屬層上;及一第二透明金屬氧化物層,其在第二金屬層上。第一透明金屬氧化物層可與第二下透明層直接接觸。
在其他實施例中,第一透明金屬氧化物層及第二透明金屬氧化物層之各者包含ITO、IZTO、IZO、AZO或GZO。
在其他實施例中,觸控螢幕面板可進一步包含:一緩衝層,其佈置在基板與第一混合電極之間及基板與第二混合電極之間。
在其他實施例中,緩衝層可具有在約1.7至約2.65之一範圍內之一折射率及在約6奈米至約80奈米之一範圍內之一厚度。
在其他實施例中,緩衝層可包含一第一緩衝層及在該第一緩衝層上之一第二緩衝層;且第一緩衝層具有大於第二緩衝層之一折射率之一折射率。
在其他實施例中,觸控螢幕面板可進一步包含:佈置在第一混合電極及第二混合電極上之一光學透明黏著劑。
由於附圖及隨附詳細描述,本發明概念將變得愈加顯而易見。
現將在下文中參照其中展示本發明概念之例示性實施例之隨附圖式更充分地描述本發明概念。自將參照隨附圖式更詳細描述之以下例示性實施例,將顯而易見本發明概念之優點及特徵及達成該等優點及特徵之方法。然而,應注意,本發明概念不限於以下例示性實施例,且可以多種形式實施。因此,例示性實施例僅係為了揭示本發明概念且使熟習此項技術者知曉本發明概念之類別而提供。在圖式中,本發明概念之實施例並不限於本文中提供之特定實例且為清晰起見而放大。
本文中使用之術語僅係出於描述特定實施例之目的且並非意欲限制本發明。如本文中所使用,單數術語「一」、「一個」及「該」亦意欲包含複數形式,除非上下文中另有清楚指示。如本文中所使用,術語「及/或」包含一或多個相關聯所列項之任意及全部組合。應瞭解,當將一元件稱為「連接」或「耦合」至另一元件時,該元件可直接連接或耦合至另一元件或可存在中介元件。
類似地,應瞭解,當將一元件(諸如層、區域或基板)稱為處於另一元件「上」時,該元件可直接在另一元件上或可存在中介元件。相比之下,術語「直接」意謂不存在中介元件。應進一步瞭解,當在本文中使用術語「包括」及/或「包含」時,該等術語指定所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在,但並不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其等之群組。
另外,將使用作為本發明概念之理想例示性視圖之截面視圖來描述詳細描述中之實施例。因此,可根據製造技術及/或容許誤差修改例示性視圖之形狀。因此,本發明概念之實施例並非限於例示性視圖中圖解說明之特定形狀,而係可包含可根據製造程序產生之其他形狀。圖式中舉例說明之區域具有一般性質,且係用以圖解說明元件之特殊形狀。因此,不應將此解釋為限於本發明概念之範疇。
亦應瞭解,雖然在本文中可使用術語第一、第二、第三等來描述多種元件,但此等元件不應受此等術語所限制。此等術語僅係用以將一元件與另一元件區別開。因此,在不脫離本發明之教示之情況下,一些實施例中之一第一元件亦可稱為其他實施例中之一第二元件。本文中解釋及圖解說明之本發明概念之態樣之例示性實施例包含其等之互補對應體。貫穿本說明書,相同參考數字或參考符號指代相同元件。
此外,在本文中參照橫截面圖解及/或平面圖解(其等係理想化之例示性圖解)描述例示性實施例。因此,預期由於(例如)製造技術及/或容限導致之圖解形狀之變動。因此,不應將例示性實施例視為限於本文中圖解說明之區域之形狀,而係包含(例如)起因於製造之形狀偏差。例如,圖解說明為矩形之一蝕刻區域通常將具有圓形或彎曲特徵。因此,圖中圖解說明之區域本質上係示意性且其等之形狀並非意欲圖解說明一裝置之一區域之實際形狀且並非意欲限制例示性實施例之範疇。
圖1係根據本發明概念之實施例之一觸控螢幕面板之一平面視圖。參考圖1,根據本發明概念之實施例之一觸控螢幕面板包含在一基板上延伸於一第一方向上之一第一混合電極20及延伸於與第一方向交叉之一第二方向上之一第二混合電極30。一第一互連41及一第二互連42係分別連接至第一混合電極20及第二混合電極30。第一混合電極20可係一X軸電極且第二混合電極30可係一Y軸電極。
第一混合電極20可包含配置在第一方向上之若干第一電極胞20a及在第一方向上使該等第一電極胞20a彼此連接之若干第一連接電極20b。該等第一電極胞20a之各者可具有一菱形形狀。該等第一電極胞20a之各者之兩個頂點部分可在左-右方向上彼此相鄰且彼此面對,且該等第一電極胞20a之各者之另兩個頂點部分可在上-下方向上彼此相鄰且彼此面對。該等第一連接電極20b之各者可在第一方向上使該等相鄰第一電極胞20a之頂點部分彼此連接。然而,本發明概念並不限於此。該等第一電極胞20a之各者可具有多種形狀(諸如,菱形形狀、矩形形狀、正方形形狀及多邊形形狀)之一者。
第二混合電極30可包含:第二電極胞30a,其等配置在第二方向上且佈置在該等第一連接電極20b之間;及第二連接電極30b,其等在第二方向上使該等第二電極胞30a彼此連接。該等第二電極胞30a可佈置在該等第一連接電極20b之間以便不與第一混合電極20接觸。該等第二電極胞30a之各者可具有一菱形形狀。然而,本發明概念並不限於此。該等第二電極胞30a之各者可具有多種形狀(諸如,菱形形狀、矩形形狀、正方形形狀及多邊形形狀)之一者。
該等第二連接電極30b可延伸在該等第一連接電極20b之上。
該等第一連接電極20b及該等第二連接電極30b之寬度之各者可在約20微米至約2000微米之一範圍內。彼此鄰近之第一電極胞20a之間之距離及彼此鄰近之第二電極胞30a之間之距離之各者可在約20微米至約2000微米之一範圍內。彼此鄰近之第一電極胞20a與第二電極胞30a之間之距離可在約10微米至約1000微米之一範圍內。
可在觸控螢幕面板之一邊緣部分處提供第一互連41及第二互連42。第一互連41可係一驅動線,該驅動線係連接至第一混合電極20以便傳輸一電流信號。第二互連42可係一感測線,該感測線係連接至第二混合電極30以便感測一電流信號。第一互連41及第二互連42之各者可在約20微米至約200微米之一範圍內。彼此鄰近之第一互連41之間之距離可在約20微米至約2000微米之一範圍內。彼此鄰近之第二互連42之間之距離可在約20微米至約2000微米之一範圍內。第一互連41及第二互連42之各者之一厚度可在約100微米至約1000微米之一範圍內。可藉由觸控螢幕面板之一大小及第一互連41與第二互連42之電阻值改變第一互連41及第二互連42之各者之厚度。第一互連41及第二互連42可係包含以下之一者之一單層或多層金屬層:鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鈦/銅(Ti/Cu)、鈦/銀(Ti/Ag)、鉻/銀(Cr/Ag)、鉻/銅(Cr/Cu)、鋁/銅(Al/Cu)及鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)。
圖2A、圖2B、圖2C、圖2D及圖2E係分別沿圖1之線A-A'、線B-B'、線C-C'、線D-D'及線E-E'取得之用以解釋根據本發明概念之一些實施例之一觸控螢幕面板之橫截面視圖。
參考圖2A至圖2E,提供一基板10。基板10可係化學回火玻璃基板、強化塑膠基板、塗佈有強化膜之聚碳酸酯(PC)基板或聚對苯二甲酸乙二醇酯(P.E.T)基板。
一緩衝層11係形成在基板10上。緩衝層11可包含依序堆疊之一第一緩衝層12及一第二緩衝層13。第一緩衝層12可具有在約2奈米至約20奈米之一範圍內之一厚度。第一緩衝層12可係具有一高折射率之一絕緣層。第一緩衝層12可係具有在約1.8至約2.9之一範圍內之折射率之一透明絕緣層。第一緩衝層12可由TiO2、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5及HfO2之一者形成。第二緩衝層13可具有在約20奈米至約100奈米之一範圍內之一厚度。第二緩衝層13可係具有一低折射率之一絕緣層。第二緩衝層13可具有小於第一緩衝層12之折射率之一折射率。第二緩衝層13可係具有在約1.3至約1.8之一範圍內之折射率之一透明絕緣層。第二緩衝層13可由SiO2、SiNx、MgF2及SiOxNy之一者形成。第一緩衝層12及第二緩衝層13可藉由一網版印刷方法、一物理氣相沈積(PVD)方法、一化學氣相沈積(CVD)方法或一原子層沈積(ALD)方法形成。
緩衝層11可僅由第一緩衝層12及第二緩衝層13之一者形成。例如,緩衝層11可係具有在約1.7至約2.65之一範圍內之一折射率及在約6奈米至約80奈米之一範圍內之一厚度之一透明絕緣層。例如,緩衝層11可由TiO2、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5及HfO2之一者形成。
第一混合電極20係形成於緩衝層11上。第一混合電極20可包含依序堆疊之一第一下透明層21、一第一金屬層23及一第一透明金屬氧化物層25。可同時圖案化第一下透明層21、第一金屬層23及第一透明金屬氧化物層25。如圖1中所圖解說明,第一混合電極20可包含配置在第一方向上之若干第一電極胞20a及在第一方向上連接該等第一電極胞20a之若干第一連接電極20b。第一下透明層21可具有在約1.9至約2.65之一範圍內之一折射率。第一下透明層21可具有在約10奈米至約30奈米之一範圍內之一厚度。第一下透明層21可由以下之至少一者形成:ZnO、ZITO(ZnO+In2O3+SnO2)、SiO2、SnO2、ZTO(ZnO+SnO2)、TiO2、AZO(摻雜Al之ZnO)、GZO(摻雜Ga之ZnO)、SiNx、ITO(In2O3+SnO2)、IZO(In2O3+ZnO)及其等之任何化合物。第一金屬層23可具有在約6奈米至約12奈米之一範圍內之一厚度。第一金屬層23可由銀(Ag)或Ag合金形成。Ag合金可係二元或三元金屬,諸如Ag-Al、Ag-Mo、Ag-Au、Ag-Pd、Ag-Ti、Ag-Cu、Ag-Au-Pd或Ag-Au-Cu。第一透明金屬氧化物層25可具有在約30奈米至約60奈米之一範圍內之一厚度。第一透明金屬氧化物層25可由ITO(In2O3+SnO2)、IZTO(ZnO+In2O3+SnO2)、IZO(In2O3+ZnO)、AZO(摻雜Al之ZnO)或GZO(摻雜Ga之ZnO)形成。
第二混合電極30可包含依序堆疊之一第二下透明層31、一第二金屬層33及一第二透明金屬氧化物層35。可同時圖案化第二下透明層31、第二金屬層33及第二透明金屬氧化物層35。如圖1中所圖解說明,第二混合電極30可包含配置在第二方向上之若干第二電極胞30a及在第二方向上連接該等第二電極胞30a之若干第二連接電極30b。第二下透明層31可係具有在約1.9至約2.65之一範圍內之一折射率之一絕緣層。第二下透明層31可具有在約100奈米至300奈米之一範圍內之一厚度。第二下透明層31可由SiO2、SiNx、SiOxNy及Al2O3之至少一者形成。第二下透明層31可具有約20%或更多之一階式覆蓋。第二下透明層31可藉由離子化物理氣相沈積(IPVD)程序、ALD程序、電漿增強CVD(PE-CVD)程序或溶液程序形成。第二金屬層33可具有在約6奈米至約12奈米之一範圍內之一厚度。第二金屬層33可由Ag或Ag合金形成。Ag合金可係二元或三元金屬,諸如Ag-Al、Ag-Mo、Ag-Au、Ag-Pd、Ag-Ti、Ag-Cu、Ag-Au-Pd或Ag-Au-Cu。第二透明金屬氧化物層35可具有在約30奈米至約60奈米之一範圍內之一厚度。第二透明金屬氧化物層35可由ITO(In2O3+SnO2)、IZTO(ZnO+In2O3+SnO2)、IZO(In2O3+ZnO)、AZO(摻雜Al之ZnO)或GZO(摻雜Ga之ZnO)形成。
在本實施例中,第一透明金屬氧化物層25係與第二下透明層31直接接觸。
參考圖3,一偏光膜60及一顯示裝置70可形成於第一混合電極20與第二混合電極30及第一互連41與第二互連42上且在其等之間具有一光學透明黏著劑50。顯示裝置70可係一液晶顯示(LCD)裝置、一有機發光二極體(OLED)裝置或一電泳裝置。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D及圖4E係分別沿圖1之線A-A'、線B-B'、線C-C'、線D-D'及線E-E'取得之用以解釋根據本發明概念之其他實施例之一觸控螢幕面板之橫截面視圖。
參考圖4A至圖4E,一第一混合電極20係形成在緩衝層11上。第一混合電極20可包含依序堆疊之一第一下透明層21及一第一金屬層23。可同時圖案化第一下透明層21及第一金屬層23。如圖1中圖解說明,第一混合電極20可包含配置在第一方向上之若干第一電極胞20a及在第一方向上連接該等第一電極胞20a之若干第一連接電極20b。第一下透明層21可具有在約1.9至約2.65之一範圍內之一折射率。第一下透明層21可具有在約10奈米至30奈米之一範圍內之一厚度。第一下透明層21可由以下之至少一者形成:ZnO、ZITO(ZnO+In2O3+SnO2)、SiO2、SnO2、ZTO(ZnO+SnO2)、TiO2、AZO(摻雜Al之ZnO)、GZO(摻雜Ga之ZnO)、SiNx、ITO(In2O3+SnO2)、IZO(In2O3+ZnO)及其等之任何化合物。第一金屬層23可具有在約6奈米至約12奈米之一範圍內之一厚度。第一金屬層23可由銀(Ag)或Ag合金形成。Ag合金可係二元或三元金屬,諸如Ag-Al、Ag-Mo、Ag-Au、Ag-Pd、Ag-Ti、Ag-Cu、Ag-Au-Pd或Ag-Au-Cu。
一第二混合電極30係形成在第一混合電極20上。第二混合電極30可包含依序堆疊之一第二下透明層31及一第二金屬層33。可同時圖案化第二下透明層31及第二金屬層33。如圖1中所圖解說明,第二混合電極30可包含配置在第二方向上之若干第二電極胞30a及在第二方向上連接該等第二電極胞30a之若干第二連接電極30b。第二下透明層31可係具有在約1.9至約2.65之一範圍內之一折射率之一絕緣層。第二下透明層31可具有在約100奈米至300奈米之一範圍內之一厚度。第二下透明層31可由SiO2、SiNx、SiOxNy及Al2O3之至少一者形成。第二下透明層31可具有約20%或更多之一階式覆蓋。第二下透明層31可藉由IPVD程序、ALD程序、PE-CVD程序或溶液程序形成。第二金屬層33可具有在約6奈米至約12奈米之一範圍內之一厚度。第二金屬層33可係由Ag或Ag合金形成。Ag合金可係二元或三元金屬,諸如Ag-Al、Ag-Mo、Ag-Au、Ag-Pd、Ag-Ti、Ag-Cu、Ag-Au-Pd或Ag-Au-Cu。
在本實施例中,第一金屬層23係與第二下透明層31直接接觸。
參考圖5,一偏光膜60及一顯示裝置70可形成於第一混合電極20與第二混合電極30及第一互連41與第二互連42上且在其等之間具有一光學透明黏著劑50。顯示裝置70可係一LCD裝置、一OLED裝置或一電泳裝置。
根據本發明概念之實施例,無需用於第一混合電極20與第二混合電極30之間之絕緣之一額外程序或一額外層間絕緣層。第二混合電極30之第二下透明層31可使第二混合電極30與第一混合電極20絕緣。因此,可減少用於沈積及圖案化之程序。例如,在用於製造一觸控螢幕面板之一般方法中可能需要四個或四個以上遮罩。然而,根據本發明概念之實施例,在用於製造觸控螢幕面板之方法中可需要三個遮罩。
將描述根據本發明概念之實施例之觸控顯示面板之折射率匹配。
根據本發明概念之實施例,第一混合電極20及第二混合電極30彼此間隔開約10微米至2000微米之一距離用於其等之間之絕緣。藉由在第一混合電極20與第二混合電極30之間之一間隙曝露在第一混合電極20及第二混合電極30下方之緩衝層11。根據本發明概念之實施例之觸控顯示面板包含第一混合電極20之一第一區域R1、第二混合電極30之一第二區域R2及在第一混合電極20與第二混合電極30(圖1及圖6)之間之一第三區域R3(例如,一間隙區域)。分別佈置在第一區域至第三區域R1、R2、R3之材料之折射率及厚度可彼此不同。分別從第一區域至第三區域R1、R2、R3反射之光L1、L2及L3之光譜可彼此不同。因此,觸控螢幕面板可具有一光斑圖案。
在根據本發明概念之一些實施例之觸控螢幕面板之第一區域至第三區域R1、R2、R3之各者中模擬光之透射比及反射率。
在如下表1之一最佳化條件下,具有550奈米之一波長之光之反射率等於或大於94%。光之透射比差等於或小於0.3%。光之反射率差等於或小於0.68%。
在如下表2之一條件下,具有550奈米之一波長之光之反射率等於或大於94%。光之透射比差等於或小於4%。光之反射率差等於小於1%。
類似地,在根據本發明概念之其他實施例之觸控螢幕面板之第一區域至第三區域R1、R2、R3之各者中模擬光之透射比及反射率。在如下表3之一條件下,具有550奈米之一波長之光之反射率等於或大於85%。光之透射比差等於小於5%。光之反射率差等於或小於2%。
如前述之模擬結果,根據本發明概念之實施例,可藉由控制層之折射率及厚度而將第一區域至第三區域R1、R2、R3之各者中之反射率差控制為等於或小於2%。如上文所描述,折射率匹配條件可經最佳化以增加觸控螢幕面板之可見度。
根據本發明概念之實施例,觸控螢幕面板可經製造而無X軸電極與Y軸電極之間之一層間絕緣層。因此,製造程序可為簡單且可減小製造成本。
雖然已參照例示性實施例描述本發明概念,但熟習此項技術者應明白可在不脫離本發明概念之精神及範疇之情況下作出多種改變及修改。因此,應瞭解,上文之實施例並非係限制性而係圖解說明性。因此,本發明概念之範疇係由以下申請專利範圍及其等效物之最廣泛可允許解釋而決定,且不應受先前描述所約束或限制。
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
12‧‧‧第一緩衝層
13‧‧‧第二緩衝層
20‧‧‧第一混合電極
20a‧‧‧第一電極胞
20b‧‧‧第一連接電極
21‧‧‧第一下透明層
23‧‧‧第一金屬層
25‧‧‧第一透明金屬氧化物層
30‧‧‧第二混合電極
30a‧‧‧第二電極胞
30b‧‧‧第二連接電極
31‧‧‧第二下透明層
33‧‧‧第二金屬層
35‧‧‧第二透明金屬氧化物層
41‧‧‧第一互連
42‧‧‧第二互連
50‧‧‧光學透明黏著劑
60‧‧‧偏光膜
70‧‧‧顯示裝置
L1‧‧‧光
L2‧‧‧光
L3‧‧‧光線
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
R3‧‧‧第三區域
圖1係根據本發明概念之實施例之一觸控螢幕面板之一平面視圖;圖2A、圖2B、圖2C、圖2D及圖2E分別係沿圖1之線A-A'、線B-B'、線C-C'、線D-D'及線E-E'取得之用以解釋根據本發明概念之一些實施例之一觸控螢幕面板之橫截面視圖;圖3係沿圖1之一線E-E'取得之用以解釋根據本發明概念之一些實施例之一觸控螢幕面板之一橫截面視圖;圖4A、圖4B、圖4C、圖4D及圖4E分別係沿圖1之線A-A'、線B-B'、線C-C'、線D-D'及線E-E'取得之用以解釋根據本發明概念之其他實施例之一觸控螢幕面板之橫截面視圖;圖5係沿圖1之一線E-E'取得之用以解釋根據本發明概念之其他實施例之一觸控螢幕面板之一橫截面視圖;圖6係沿圖1之一線E-E'取得之用以圖解說明至根據本發明概念之實施例之一觸控螢幕面板之一入射光之反射之一橫截面視圖。
20‧‧‧第一混合電極
20a‧‧‧第一電極胞
20b‧‧‧第一連接電極
30‧‧‧第二混合電極
30a‧‧‧第二電極胞
30b‧‧‧第二連接電極
41‧‧‧第一互連
42‧‧‧第二互連
权利要求:
Claims (16)
[1] 一種觸控螢幕面板,其包括:一基板;一第一混合電極,其包含在一第一方向上配置在該基板上之若干第一電極胞及在該第一方向上使該等第一電極胞彼此連接之若干第一連接電極;及一第二混合電極,其與在該基板上之該第一混合電極間隔開,該第二混合電極包含配置在與該第一方向交叉之一第二方向上之若干第二電極胞及在該第二方向上使該等第二電極胞彼此連接之若干第二連接電極,且該等第二電極胞係佈置在該等第一連接電極之間,其中該第一混合電極包含依序堆疊之一第一下透明層及一第一金屬層;且其中該第二混合電極包含依序堆疊之一第二下透明層及一第二金屬層。
[2] 如請求項1之觸控螢幕面板,其中該等第二連接電極延伸在該等第一連接電極上。
[3] 如請求項2之觸控螢幕面板,其中該第一金屬層係與該第二下透明層直接接觸。
[4] 如請求項2之觸控螢幕面板,其中該第一下透明層及該第二下透明層之各者具有在約1.9至約2.65之一範圍內之一折射率。
[5] 如請求項4之觸控螢幕面板,其中該第一下透明層具有在約10奈米至約30奈米之一範圍內之一厚度。
[6] 如請求項4之觸控螢幕面板,其中該第二下透明層具有在約100奈米至約300奈米之一範圍內之一厚度。
[7] 如請求項2之觸控螢幕面板,其中該第一金屬層及該第二金屬層包含Ag或Ag合金。
[8] 如請求項7之觸控螢幕面板,其中該第一金屬層及該第二金屬層之各者具有在約6奈米至約12奈米之一範圍內之一厚度。
[9] 如請求項2之觸控螢幕面板,其進一步包括:一第一透明金屬氧化物層,其在該第一金屬層上;及一第二透明金屬氧化物層,其在該第二金屬層上。
[10] 如請求項9之觸控螢幕面板,其中該第一透明金屬氧化物層係與該第二下透明層直接接觸。
[11] 如請求項9之觸控螢幕面板,其中該第一透明金屬氧化物層及該第二透明金屬氧化物層之各者包含ITO、IZTO、IZO、AZO或GZO。
[12] 如請求項11之觸控螢幕面板,其中該第一透明金屬氧化物層及該第二透明金屬氧化物層之各者具有在約30奈米至約60奈米之一範圍內之一厚度。
[13] 如請求項1之觸控螢幕面板,其進一步包括:佈置在該基板與該第一混合電極之間及該基板與該第二混合電極之間之一緩衝層。
[14] 如請求項13之觸控螢幕面板,其中該緩衝層具有在約1.7至約2.65之一範圍內之一折射率及在約6奈米至約80奈米之一範圍內之一厚度。
[15] 如請求項13之觸控螢幕面板,其中該緩衝層包含一第一緩衝層及在該第一緩衝層上之一第二緩衝層;且其中該第一緩衝層具有大於該第二緩衝層之一折射率之一折射率。
[16] 如請求項1之觸控螢幕面板,其進一步包括:佈置在該第一混合電極及該第二混合電極上之一光學透明黏著劑。
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